质子辐射条件下漏电流变化原因三个问题：
N基区内的扩散电流和漂移电流什么关系
阻断状态下，扩散电流和漂移电流大小相当，此时载流子注入为小注入（大注入？），从发射结到耗尽层边缘，少子扩散电流是单调递减的，另外一部分电流来源于未耗尽区小电场内的多子漂移，两部分之和满足KCL定律。
为什么认为边界条件满足相邻区域扩散电流相等
边界不是“产生/湮灭载流子”的地方，也不是“电流源/汇”，载流子不可能在界面处凭空堆积或消失。
在未耗尽区的一维稳态问题中：
\frac{\partial p}{\partial t}=\frac{1}{q}\frac{\partial J_p}{\partial x} + G - R
稳态下，有\frac{\partial J_p}{\partial x} =q(R-G)
在某一界面x_1处，有:
J_p(x_1^+)-J_p(x_1^-)=
\int_{x_1-\epsilon}^{x_1+\epsilon}
q(R-G)dx
在该处R与G不会出\delta 函数，则有
\lim\limits_{\epsilon \to \infty}
\int_{x_1-\epsilon}^{x_1+\epsilon}
q(R-G)dx = 0
缺陷计算方法文献调研：
